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Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices - Yue Hao,Jin Feng Zhang,Jin Cheng Zhang - cover
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Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
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Descrizione


This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
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Dettagli

2016
Hardback
368 p.
Testo in English
254 x 178 mm
885 gr.
9781498745123
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